mocvd(gaas的发光效率比si高的原因)
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2023-11-16
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1. mocvd,gaas的发光效率比si高的原因?
GaAs太阳电池的发展是从上世纪50年代开始的,至今已有已有50多年的历史。1954年世界上首次发现GaAs材料具有光伏效应。在1956年,LoferskiJ.J.和他的团队探讨了制造太阳电池的最佳材料的物性,他们指出Eg在1.2~1.6eV范围内的材料具有最高的转换效率。目前实验室GaAs电池的效率最高已经能够达到50%。
GaAs太阳电池是一种Ⅲ~Ⅴ族化合物半导体太阳电池,与Si太阳电池相比,其特点为:
(1)转换效率高。
GaAs的禁带宽度相比于Si要宽,光谱响应特性与太阳光谱的匹配度也比Si要好。所以,GaAs太阳能电池的光电转化效率要高于Si太阳能电池。Si电池的理论效率仅为23%,而单节的GaAs电池理论效率为27%,而多节GaAs的电池理论效率更是高达50%。
(2)可以制成超薄型电池。
GaAs是直接带隙半导体,而Si是间接带隙半导体,在可见光到红外的光谱内,GaAs的吸收效率要远远高于Si。同样吸收95%的太阳光,Si需要150μm以上的厚度,但是GaAs只需要5μm~10μm,用GaAs制成的太阳能电池,在质量上可以大大减轻。
(3)耐高温
GaAs的本征载流子浓度低,GaAs太阳电池的最大功率温度系数(-2×10-3℃-1)较低比Si(-4.4×10-3℃-1)太阳电池小很多。200℃时,Si太阳电池已不能工作,而GaAs太阳电池的效率仍有约10%。这使得GaAs电池可以在聚光领域有很好的应用。
(4)抗辐射性能好
GaAs少子寿命短,在离结几个扩散度外产生的损伤,对光电流和暗电流均无影响。因此,其抗高能粒子辐照的性能优于间接禁带的Si太阳电池。在电子能量为1MeV,通量为1×1015个/cm2辐照条件下,辐照后与辐照前太阳电池输出功率比,GaAs单结太阳电池>0.76,GaAs多结太阳电池>0.81,而BSFSi太阳电池仅为0.70。
(5)可制成效率更高的多结叠层太阳电池
随着MOCVD技术的日益完善,Ⅲ~Ⅴ族三元、四元化合物半导体材料(GaInP、AlGaInP、GaInAs)的生长技术取得重大突破,为多结叠层太阳电池研制提供了多种可供选择的材料。
2. 手套箱是什么?
1、手套箱是将高纯惰性气体充入箱体内,并循环过滤掉其中的活性物质的实验室设备。也称真空手套箱、惰性气体保护箱等。
2、手套箱广泛应用于无水、无氧、无尘的超纯环境,如:锂离子电池及材料、半导体、超级电容、特种灯、激光焊接、钎焊、材料合成、OLED、MOCVD等。也包括生物方面应用,如厌氧菌培养、细胞低氧培养等。
3. 中微公司与北方华创哪家更有实力?
整体来看两家公司新建生产基地总投资额上,北方华创的投资规模更大,产能更高。
——半导体设备产品布局:北方华创产品线更丰富从半导体设备的产品运营来看,北方华创产品系列更丰富,刻蚀设备、沉积设备、氧化扩散设备、原子层沉积设备不等;而中微公司主要是刻蚀设备和MOCVD设备。从产品结构上看,2022上半年北方华创中75%是电子工艺设备,25%是电子元器件,产品线更多样化;中微公司半导体设备占100%,产品专业性更强。
——半导体设备研发专利:北方华创在专利数量和研发占比上均比中微公司高2021年北方华创及子公司累计申请专利5900余项,新增申请专利759项。中微公司截至2021年底累计申请专利2030项,新增申请专利225项。总体来看中微公司在专利申请总数和新增专利申请数量上占有优势。2020-2022年,北方华创研发投入占营业收入比重在
4. 三安光电产品什么时候步入市场?
三安光电上市时间:1996年5月28日,发行价:7.58元。
简介:
三安光电有限公司,承担着国家“863”重大课题,拥有国家级博士后科研工作站及国家级企业技术中心。公司坐落于厦门国际会展中心北侧,占地面积5万平方米,是一座现代化花园式工厂。
公司主要从事全色系超高亮度LED外延片、芯片,化合物太阳能电池、PIN光电探测器芯片等的研发、生产与销售,产品性能指标居国际先进水平。公司以打造拥有独立自主知识产权的民族高科技企业为已任,以创建国际一流企业为愿景。拥有1000级到10000级的现代化洁净厂房,千余台(套)国内外最先进的LED外延生长和芯片制造设备,在天津三安三期扩产完毕之时,MOCVD总数将达到100台以上,其规模为国内第一名,国际前十名。已实现年产外延片65万片,芯片200亿粒的生产规模。
5. 中国的科研水平?
中国造船 航空 航天 太阳能面板 煤火力 水力发电 OLED IT AI 云计算 电动车 安防监控 高密度电池 手机 大功率风力发电 半导体设计加工 无人机
特高压输电 第四代核电 通信设备 高热效率柴油发动机 高端刀具 服务器 光纤和光模块 5t磁力共振 PET/CT soc 232层nand dram 比日本先进,
日本 工业机器人 电子材料 膜材料 工程和改性塑料 重型燃气轮机 半导体设备 电子元器件(MLCC 滤波器 传感器等)mcu
机械零部件(伺服电机 轴承 减速器 PLC 阀门等)胃镜 机床 科研仪器 比中国先进,
像什么液晶屏 家电 工程机械 高铁 地铁 磁悬浮 特种钢 碳纤维 FPC 对位芳纶 日本会中国也会, 估计再有10年中国所有产业全面碾压日本
比如我国液晶面板材料国产化率从10%提高到70%,高铁零部件国产化率97%, 国内核电站零部件国产化率98%以上,锂电池材料和设备国产化率90%以上
,火箭、卫星零部件国产化率近100%, 太阳能电池板材料和设备国产化率接近100% 等等 中国现在每年开发的新药占世界13% 日本6% 美国48%
电动车零部件国产化率90% LED材料mocvd设备芯片等基本自给 化工设备自给率90% 冶金设备自给率95% 纺织设备国产化率85%
半导体和客机 OLED 无人机 手机 医疗设备 等产业也要这样设备材料零部件全产业链提高国产化率把附加值(GDP)留在中国,进口代替外资代替世界代替
从组装蜕变成制造 放任发展到2035年中国经济 科技 产业也追上整个西方,2.44%的研发投入应该提高到3.5%
中国14亿人,人均GDP西班牙以上的3万美元发达国家加起来才10亿人,不把世界所有高附加值产业吃干抹净,中国整体能富裕吗
日本人说话不能全信,日本组装个支线飞机技术问题退出了,中国飞机都出口了
造个豪华邮轮设计问题亏个底朝天,中国豪华邮轮快下水了, 光伏产业转换率干不过中国五六年前说研发印刷光伏技术,
现在也没信,oled产业没有蒸镀量产技术干不过韩国中国,说印刷方式代替,也五六年了还是没信, 日本人就喜欢吹牛,
世界转向电动车,占大头的日本汽车倒了日本彻底玩完
日本机床 PLC 刀具 纺织机械 印刷机 食品机械 木工设备 冶金设备 注塑机 化工设备 激光设备 泵 阀 工程塑料工业气体 日本货都和 德国货差一个档次, 德国机械真是全面的强,
德国机械出口额是日本三倍以上,而且德国货比日本货贵的多 更别说和美国比手机半导体芯片科研仪器医疗设备IT生物医药航空航天互联网服务器 半导体核心设备光刻机刻蚀机也是欧美生产
日本也就电子材料工业机器人比欧美强,剩下什么也不如欧美
6. LED显示屏降低成本的要点有哪些?
LED显示屏在国内已经发展了几十年,仅能在大城市看到。这主要我们厂家仍在高成本下运行,LED显示屏价格没法下调。为使我们能在更多地方看到LED显示屏,唯企业成本降低,企业降低成本可重点依靠以下三个部分:
1、核心设备制造技术的进步将成倍提高生产效率,从而显着降低折旧成本,最为典型的就是GaN外延的MOCVD设备;
2、加工圆片的尺寸成倍提升,从目前主流的2英寸圆片发展到4英寸,将大大降低芯片工艺的加工成本;
3、产业规模的级数扩大将显着降低消耗原物料的成本和综合管理成本。综合这些因素,可以预期未来10年LED芯片的成本将会持续降低,这将进一步刺激LED新兴应用领域的发展。
目前,国内物价升高,人力资源、运输等成本增加,LED显示屏厂家还将继续维持高成本运行,LED显示屏价格才有下调还会持续很长的一段时间。
7. 英诺赛科发展前景怎么样?
英诺赛科于2017年成立,是一家致力于第三代半导体硅基氮化镓研发与生产的高科技企业。英诺赛科采用IDM模式,集研发、设计、外延生长、芯片制造、测试与失效分析为一体,成功打造硅基氮化镓全产业链平台,产品涵盖30-900V功率半导体器件,IC及射频器件。英诺赛科30V-650V硅基氮化镓系列芯片产品已陆续推出并实现量产,为世界上唯一能够同时量产低压和高压硅基氮化镓芯片的企业。旗下拥有英诺赛科(苏州)半导体有限公司及英诺赛科(珠海)科技有限公司两家控股子公司。
英诺赛科于2015年12月在珠海建设珠海8英寸硅基氮化镓研发生产基地,投资额超20亿元,目前产线运转稳定,产品持续出货中;于2018年在苏州吴江开始建造苏州8英寸硅基氮化镓研发生产基地,项目投资60亿元,苏州项目一期已于2020年9月完成厂房基本建设和生产设备搬入,2020年12实现试生产,预计2021年3月正式投产,项目建成后将成为全球产能最大的8英寸硅基氮化镓量产线,全线投产后将形成年产78万片功率控制电路及半导体电力电子器件的产能,可创造就业岗位2000名。
英诺赛科目前总人数近1000人,成功聚集了国内外硅基氮化镓领域顶尖的人才。核心技术团队均来自于国际一流半导体企业,硅基氮化镓产业化经验丰富,专业领域涵盖:宽禁带半导体器件原理与器件设计、硅基氮化镓与碳化硅外延产业化技术、硅基氮化镓与碳化硅功率器件、射频器件产业化技术、MOCVD设备技术。
打破国际垄断
英诺赛科主要产品包括30V-650V 硅基氮化镓功率及射频器件。其中30V-650V 系列芯片产品已推出并实现量产,高压650V 器件可应用于汽车、工业电机等产业,低压30-200V 器件可应用于数据中心、自动驾驶激光雷达等战略新兴产业,英诺赛科是世界上唯一能够同时量产低压和高压硅基氮化镓芯片的企业。可全面支持上述产业的关键功率芯片应用供应,打破国际垄断。
英诺赛科与华为、浪潮、小米、OPPO、大疆、比亚迪、禾赛科技、安森美、MPS 等国内外厂商开展深入合作,功率器件和射频器件的应用开发。
英诺赛科对集微网表示,基于公司氮化镓高压芯片的大功率、小型化手机快充已经全面推向市场,英诺赛科成为中国唯一一家提供手机快充氮化镓芯片的企业,打破了美国公司氮化镓快充芯片在该领域的垄断局面,公司“InnoGaN”氮化镓功率器件产品出货已达数百万颗。
英诺赛科低压氮化镓产品已取代美国EPC 公司产品,成为中国领先的激光雷达企业禾赛科技的供应商,实现国产替代。
此外,英诺赛科已成功开发出应用于数据中心的低压氮化镓电源管理芯片产品,可取代原有硅器件,大幅度提升系统效率,降低能耗及运营成本。
英诺赛科与中国最为知名的5G射频基站提供商开展广泛战略合作,积极开展应用于5G 基站的硅基氮化镓射频芯片开发,并计划于2021 年开始小批量生产,逐步实现5G 应用领域射频器件国产化。
实力秀肌肉
英诺赛科表示公司采用8英寸硅基氮化镓生产工艺,相对其他尺寸的生产线,公司8英寸的生产工艺的成本更低和技术工艺更优及提高器件的可靠性。
英诺赛科结合德国爱思强MOCVD(G5+)和8英寸CMOS兼容晶圆制造线,解决了化合物半导体晶圆制造良率低、产能小、工艺不稳定的产业化技术瓶颈,成功实现了8英寸硅基氮化镓器件的大规模量产。
此外,英诺赛科采用IDM全产业链模式,成功搭建了8英寸硅基氮化镓全产业链平台,内容涵盖研发、设计、外延生长、芯片制造、测试与失效分析。公司通过自主研发,攻克了8英寸硅晶圆衬底上外延生长氮化镓单晶材料的世界级难题,在世界上首次实现了8英寸硅基氮化镓材料与器件的大规模量产,同时填补了国内在该领域的空白。
值得一提的是,英诺赛科在全球范围内首次成功实现8英寸硅基氮化镓量产技术,技术全球领先。该量产技术为国内首次实现,解决了国家在第三代半导体领域卡脖子问题,实现了零的突破。英诺赛科产品均具有自主核心知识产权,截止到目前,英诺赛科已申请国内外核心专利超过250项。
第三代半导体走上历史舞台
从20世纪60年代起,国际半导体工业已先后经历了第一代锗、硅器件和第二代砷化镓器件两个时代。目前,电子器件主要基于传统的硅半导体,经过几十年的发展,器件的性能已经达到硅材料上限,不能满足进一步提高电能转换效率的要求,已无法解决5G通信、数据中心、汽车等领域对器件高电压、高效能、高能量密度、高可靠性的要求。因此,以氮化镓为代表的第三代半导体器件正逐渐走上历史舞台。
英诺赛科表示,受制于成本因素,目前氮化镓功率器件市场渗透率不到1%。未来,技术进步将推动氮化镓功率器件的成本快速下降,逐渐成为低中压功率半导体市场的主流产品。氮化镓功率器件凭借其高频特性和电源转换效率,其出货量预期有较强的增长潜力,有望在功率半导体领域替换硅功率器件。且随着新能源汽车、5G 通信、数据中心、高速轨道交通的快速发展以及“新基建”的布局,氮化镓功率器件必将面向更加广阔的市场。
无论从技术的发展趋势、应用导向还是国家政策层面,第三代半导体氮化镓具有十分广阔的市场前景。且中国作为全球最大的半导体消费市场,在市场风口到来、产业火热加码布局等利好因素加持下,国内第三代半导体产业正在进击前行。随着相关企业持续扩增产能、降低生产成本、提高产品可靠性,国产第三代半导体器件在下游应用市场的渗透率将日渐提升,并实现国产替代。
英诺赛科将一如既往坚持创新研发,为“新基建”注入新动能,加快5G通信、数据中心等新型基础设施建设进度,以创新驱动发展助力中国“芯”突破,在庞大的半导体产业中实现对进口技术和产品的替代,让中国成为第三代半导体硅基氮化镓制造的世界第一。
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1. mocvd,gaas的发光效率比si高的原因?
GaAs太阳电池的发展是从上世纪50年代开始的,至今已有已有50多年的历史。1954年世界上首次发现GaAs材料具有光伏效应。在1956年,LoferskiJ.J.和他的团队探讨了制造太阳电池的最佳材料的物性,他们指出Eg在1.2~1.6eV范围内的材料具有最高的转换效率。目前实验室GaAs电池的效率最高已经能够达到50%。
GaAs太阳电池是一种Ⅲ~Ⅴ族化合物半导体太阳电池,与Si太阳电池相比,其特点为:
(1)转换效率高。
GaAs的禁带宽度相比于Si要宽,光谱响应特性与太阳光谱的匹配度也比Si要好。所以,GaAs太阳能电池的光电转化效率要高于Si太阳能电池。Si电池的理论效率仅为23%,而单节的GaAs电池理论效率为27%,而多节GaAs的电池理论效率更是高达50%。
(2)可以制成超薄型电池。
GaAs是直接带隙半导体,而Si是间接带隙半导体,在可见光到红外的光谱内,GaAs的吸收效率要远远高于Si。同样吸收95%的太阳光,Si需要150μm以上的厚度,但是GaAs只需要5μm~10μm,用GaAs制成的太阳能电池,在质量上可以大大减轻。
(3)耐高温
GaAs的本征载流子浓度低,GaAs太阳电池的最大功率温度系数(-2×10-3℃-1)较低比Si(-4.4×10-3℃-1)太阳电池小很多。200℃时,Si太阳电池已不能工作,而GaAs太阳电池的效率仍有约10%。这使得GaAs电池可以在聚光领域有很好的应用。
(4)抗辐射性能好
GaAs少子寿命短,在离结几个扩散度外产生的损伤,对光电流和暗电流均无影响。因此,其抗高能粒子辐照的性能优于间接禁带的Si太阳电池。在电子能量为1MeV,通量为1×1015个/cm2辐照条件下,辐照后与辐照前太阳电池输出功率比,GaAs单结太阳电池>0.76,GaAs多结太阳电池>0.81,而BSFSi太阳电池仅为0.70。
(5)可制成效率更高的多结叠层太阳电池
随着MOCVD技术的日益完善,Ⅲ~Ⅴ族三元、四元化合物半导体材料(GaInP、AlGaInP、GaInAs)的生长技术取得重大突破,为多结叠层太阳电池研制提供了多种可供选择的材料。
2. 手套箱是什么?
1、手套箱是将高纯惰性气体充入箱体内,并循环过滤掉其中的活性物质的实验室设备。也称真空手套箱、惰性气体保护箱等。
2、手套箱广泛应用于无水、无氧、无尘的超纯环境,如:锂离子电池及材料、半导体、超级电容、特种灯、激光焊接、钎焊、材料合成、OLED、MOCVD等。也包括生物方面应用,如厌氧菌培养、细胞低氧培养等。
3. 中微公司与北方华创哪家更有实力?
整体来看两家公司新建生产基地总投资额上,北方华创的投资规模更大,产能更高。
——半导体设备产品布局:北方华创产品线更丰富从半导体设备的产品运营来看,北方华创产品系列更丰富,刻蚀设备、沉积设备、氧化扩散设备、原子层沉积设备不等;而中微公司主要是刻蚀设备和MOCVD设备。从产品结构上看,2022上半年北方华创中75%是电子工艺设备,25%是电子元器件,产品线更多样化;中微公司半导体设备占100%,产品专业性更强。
——半导体设备研发专利:北方华创在专利数量和研发占比上均比中微公司高2021年北方华创及子公司累计申请专利5900余项,新增申请专利759项。中微公司截至2021年底累计申请专利2030项,新增申请专利225项。总体来看中微公司在专利申请总数和新增专利申请数量上占有优势。2020-2022年,北方华创研发投入占营业收入比重在
4. 三安光电产品什么时候步入市场?
三安光电上市时间:1996年5月28日,发行价:7.58元。
简介:
三安光电有限公司,承担着国家“863”重大课题,拥有国家级博士后科研工作站及国家级企业技术中心。公司坐落于厦门国际会展中心北侧,占地面积5万平方米,是一座现代化花园式工厂。
公司主要从事全色系超高亮度LED外延片、芯片,化合物太阳能电池、PIN光电探测器芯片等的研发、生产与销售,产品性能指标居国际先进水平。公司以打造拥有独立自主知识产权的民族高科技企业为已任,以创建国际一流企业为愿景。拥有1000级到10000级的现代化洁净厂房,千余台(套)国内外最先进的LED外延生长和芯片制造设备,在天津三安三期扩产完毕之时,MOCVD总数将达到100台以上,其规模为国内第一名,国际前十名。已实现年产外延片65万片,芯片200亿粒的生产规模。
5. 中国的科研水平?
中国造船 航空 航天 太阳能面板 煤火力 水力发电 OLED IT AI 云计算 电动车 安防监控 高密度电池 手机 大功率风力发电 半导体设计加工 无人机
特高压输电 第四代核电 通信设备 高热效率柴油发动机 高端刀具 服务器 光纤和光模块 5t磁力共振 PET/CT soc 232层nand dram 比日本先进,
日本 工业机器人 电子材料 膜材料 工程和改性塑料 重型燃气轮机 半导体设备 电子元器件(MLCC 滤波器 传感器等)mcu
机械零部件(伺服电机 轴承 减速器 PLC 阀门等)胃镜 机床 科研仪器 比中国先进,
像什么液晶屏 家电 工程机械 高铁 地铁 磁悬浮 特种钢 碳纤维 FPC 对位芳纶 日本会中国也会, 估计再有10年中国所有产业全面碾压日本
比如我国液晶面板材料国产化率从10%提高到70%,高铁零部件国产化率97%, 国内核电站零部件国产化率98%以上,锂电池材料和设备国产化率90%以上
,火箭、卫星零部件国产化率近100%, 太阳能电池板材料和设备国产化率接近100% 等等 中国现在每年开发的新药占世界13% 日本6% 美国48%
电动车零部件国产化率90% LED材料mocvd设备芯片等基本自给 化工设备自给率90% 冶金设备自给率95% 纺织设备国产化率85%
半导体和客机 OLED 无人机 手机 医疗设备 等产业也要这样设备材料零部件全产业链提高国产化率把附加值(GDP)留在中国,进口代替外资代替世界代替
从组装蜕变成制造 放任发展到2035年中国经济 科技 产业也追上整个西方,2.44%的研发投入应该提高到3.5%
中国14亿人,人均GDP西班牙以上的3万美元发达国家加起来才10亿人,不把世界所有高附加值产业吃干抹净,中国整体能富裕吗
日本人说话不能全信,日本组装个支线飞机技术问题退出了,中国飞机都出口了
造个豪华邮轮设计问题亏个底朝天,中国豪华邮轮快下水了, 光伏产业转换率干不过中国五六年前说研发印刷光伏技术,
现在也没信,oled产业没有蒸镀量产技术干不过韩国中国,说印刷方式代替,也五六年了还是没信, 日本人就喜欢吹牛,
世界转向电动车,占大头的日本汽车倒了日本彻底玩完
日本机床 PLC 刀具 纺织机械 印刷机 食品机械 木工设备 冶金设备 注塑机 化工设备 激光设备 泵 阀 工程塑料工业气体 日本货都和 德国货差一个档次, 德国机械真是全面的强,
德国机械出口额是日本三倍以上,而且德国货比日本货贵的多 更别说和美国比手机半导体芯片科研仪器医疗设备IT生物医药航空航天互联网服务器 半导体核心设备光刻机刻蚀机也是欧美生产
日本也就电子材料工业机器人比欧美强,剩下什么也不如欧美
6. LED显示屏降低成本的要点有哪些?
LED显示屏在国内已经发展了几十年,仅能在大城市看到。这主要我们厂家仍在高成本下运行,LED显示屏价格没法下调。为使我们能在更多地方看到LED显示屏,唯企业成本降低,企业降低成本可重点依靠以下三个部分:
1、核心设备制造技术的进步将成倍提高生产效率,从而显着降低折旧成本,最为典型的就是GaN外延的MOCVD设备;
2、加工圆片的尺寸成倍提升,从目前主流的2英寸圆片发展到4英寸,将大大降低芯片工艺的加工成本;
3、产业规模的级数扩大将显着降低消耗原物料的成本和综合管理成本。综合这些因素,可以预期未来10年LED芯片的成本将会持续降低,这将进一步刺激LED新兴应用领域的发展。
目前,国内物价升高,人力资源、运输等成本增加,LED显示屏厂家还将继续维持高成本运行,LED显示屏价格才有下调还会持续很长的一段时间。
7. 英诺赛科发展前景怎么样?
英诺赛科于2017年成立,是一家致力于第三代半导体硅基氮化镓研发与生产的高科技企业。英诺赛科采用IDM模式,集研发、设计、外延生长、芯片制造、测试与失效分析为一体,成功打造硅基氮化镓全产业链平台,产品涵盖30-900V功率半导体器件,IC及射频器件。英诺赛科30V-650V硅基氮化镓系列芯片产品已陆续推出并实现量产,为世界上唯一能够同时量产低压和高压硅基氮化镓芯片的企业。旗下拥有英诺赛科(苏州)半导体有限公司及英诺赛科(珠海)科技有限公司两家控股子公司。
英诺赛科于2015年12月在珠海建设珠海8英寸硅基氮化镓研发生产基地,投资额超20亿元,目前产线运转稳定,产品持续出货中;于2018年在苏州吴江开始建造苏州8英寸硅基氮化镓研发生产基地,项目投资60亿元,苏州项目一期已于2020年9月完成厂房基本建设和生产设备搬入,2020年12实现试生产,预计2021年3月正式投产,项目建成后将成为全球产能最大的8英寸硅基氮化镓量产线,全线投产后将形成年产78万片功率控制电路及半导体电力电子器件的产能,可创造就业岗位2000名。
英诺赛科目前总人数近1000人,成功聚集了国内外硅基氮化镓领域顶尖的人才。核心技术团队均来自于国际一流半导体企业,硅基氮化镓产业化经验丰富,专业领域涵盖:宽禁带半导体器件原理与器件设计、硅基氮化镓与碳化硅外延产业化技术、硅基氮化镓与碳化硅功率器件、射频器件产业化技术、MOCVD设备技术。
打破国际垄断
英诺赛科主要产品包括30V-650V 硅基氮化镓功率及射频器件。其中30V-650V 系列芯片产品已推出并实现量产,高压650V 器件可应用于汽车、工业电机等产业,低压30-200V 器件可应用于数据中心、自动驾驶激光雷达等战略新兴产业,英诺赛科是世界上唯一能够同时量产低压和高压硅基氮化镓芯片的企业。可全面支持上述产业的关键功率芯片应用供应,打破国际垄断。
英诺赛科与华为、浪潮、小米、OPPO、大疆、比亚迪、禾赛科技、安森美、MPS 等国内外厂商开展深入合作,功率器件和射频器件的应用开发。
英诺赛科对集微网表示,基于公司氮化镓高压芯片的大功率、小型化手机快充已经全面推向市场,英诺赛科成为中国唯一一家提供手机快充氮化镓芯片的企业,打破了美国公司氮化镓快充芯片在该领域的垄断局面,公司“InnoGaN”氮化镓功率器件产品出货已达数百万颗。
英诺赛科低压氮化镓产品已取代美国EPC 公司产品,成为中国领先的激光雷达企业禾赛科技的供应商,实现国产替代。
此外,英诺赛科已成功开发出应用于数据中心的低压氮化镓电源管理芯片产品,可取代原有硅器件,大幅度提升系统效率,降低能耗及运营成本。
英诺赛科与中国最为知名的5G射频基站提供商开展广泛战略合作,积极开展应用于5G 基站的硅基氮化镓射频芯片开发,并计划于2021 年开始小批量生产,逐步实现5G 应用领域射频器件国产化。
实力秀肌肉
英诺赛科表示公司采用8英寸硅基氮化镓生产工艺,相对其他尺寸的生产线,公司8英寸的生产工艺的成本更低和技术工艺更优及提高器件的可靠性。
英诺赛科结合德国爱思强MOCVD(G5+)和8英寸CMOS兼容晶圆制造线,解决了化合物半导体晶圆制造良率低、产能小、工艺不稳定的产业化技术瓶颈,成功实现了8英寸硅基氮化镓器件的大规模量产。
此外,英诺赛科采用IDM全产业链模式,成功搭建了8英寸硅基氮化镓全产业链平台,内容涵盖研发、设计、外延生长、芯片制造、测试与失效分析。公司通过自主研发,攻克了8英寸硅晶圆衬底上外延生长氮化镓单晶材料的世界级难题,在世界上首次实现了8英寸硅基氮化镓材料与器件的大规模量产,同时填补了国内在该领域的空白。
值得一提的是,英诺赛科在全球范围内首次成功实现8英寸硅基氮化镓量产技术,技术全球领先。该量产技术为国内首次实现,解决了国家在第三代半导体领域卡脖子问题,实现了零的突破。英诺赛科产品均具有自主核心知识产权,截止到目前,英诺赛科已申请国内外核心专利超过250项。
第三代半导体走上历史舞台
从20世纪60年代起,国际半导体工业已先后经历了第一代锗、硅器件和第二代砷化镓器件两个时代。目前,电子器件主要基于传统的硅半导体,经过几十年的发展,器件的性能已经达到硅材料上限,不能满足进一步提高电能转换效率的要求,已无法解决5G通信、数据中心、汽车等领域对器件高电压、高效能、高能量密度、高可靠性的要求。因此,以氮化镓为代表的第三代半导体器件正逐渐走上历史舞台。
英诺赛科表示,受制于成本因素,目前氮化镓功率器件市场渗透率不到1%。未来,技术进步将推动氮化镓功率器件的成本快速下降,逐渐成为低中压功率半导体市场的主流产品。氮化镓功率器件凭借其高频特性和电源转换效率,其出货量预期有较强的增长潜力,有望在功率半导体领域替换硅功率器件。且随着新能源汽车、5G 通信、数据中心、高速轨道交通的快速发展以及“新基建”的布局,氮化镓功率器件必将面向更加广阔的市场。
无论从技术的发展趋势、应用导向还是国家政策层面,第三代半导体氮化镓具有十分广阔的市场前景。且中国作为全球最大的半导体消费市场,在市场风口到来、产业火热加码布局等利好因素加持下,国内第三代半导体产业正在进击前行。随着相关企业持续扩增产能、降低生产成本、提高产品可靠性,国产第三代半导体器件在下游应用市场的渗透率将日渐提升,并实现国产替代。
英诺赛科将一如既往坚持创新研发,为“新基建”注入新动能,加快5G通信、数据中心等新型基础设施建设进度,以创新驱动发展助力中国“芯”突破,在庞大的半导体产业中实现对进口技术和产品的替代,让中国成为第三代半导体硅基氮化镓制造的世界第一。
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